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元器件采购网 > P-739页 > FET - 单PHK28NQ03LT,518

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PHK28NQ03LT,518

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) NXP Semiconductors 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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PHK28NQ03LT,518参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):23.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2800pF @ 20V
功率 - 最大值:6.25W
安装类型:表面贴装

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