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PHK28NQ03LT,518 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | NXP Semiconductors | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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PHK28NQ03LT,518参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):23.7A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2800pF @ 20V 功率 - 最大值:6.25W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 铝电容器200VXG1000MEFCSN30X35 选择器A22W-2AY-T2-01 圆形AFD58-8-98PN-6117 芯片电阻 - 表面PFS35-20RF1 嵌入式 - 微控制ATTINY11L-2PC 铝电容器EET-HC2C122KA 矩形- 接头,公引DF1B-22DP-2.5DSA FET - 单STD24N06LT4G Card EdgeGBA50DTMN 评估板 - DC/IRDC3842 |